適用于鋰電池充放電保護用的新型開關(guān)芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120648953.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214378452U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214378452U 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)仕漢;薛濤;遲曉麗 申請（專利權(quán)）人 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 淄博川誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高鵬飛
地址 255000山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種適用于鋰電池充放電保護用的新型開關(guān)芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在N?外延內(nèi)設(shè)置有溝槽，溝槽內(nèi)壁設(shè)置有氧化層，氧化層內(nèi)填充有多晶硅，多晶硅上方設(shè)置有厚氧化層，厚氧化層上方設(shè)置有正面金屬層，相鄰兩個溝槽之間的N?外延表面下方設(shè)置有N+源區(qū)，N+源區(qū)與正面金屬層相連，N+襯底底部設(shè)置有背面金屬層。厚氧化層設(shè)置在N?外延表面上方，相連兩個溝槽之間的厚氧化層上設(shè)置有接觸孔，正面金屬層與N+源區(qū)通過接觸孔相連接；或厚氧化層設(shè)置在溝槽內(nèi)且在多晶硅的上方，厚氧化層的上表面與N?外延表面持平，正面金屬層與N+源區(qū)接觸連接。本實用新型能夠有效降低保護線路成本，降低開關(guān)的內(nèi)阻，提高充放電效率，具有較強的實用性。