一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121263040.7 申請日 -
公開（公告）號 CN214753771U 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN214753771U 申請公布日 2021-11-16
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 遲曉麗;關(guān)仕漢;薛濤 申請（專利權(quán)）人 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 淄博川誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高鵬飛
地址 255000山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片，包括硅基襯底，外延層，所述外延層包括GaN外延層和AlGaN外延層，所述GaN外延層表面均勻開設(shè)有溝槽，所述AlGaN外延層固定連接于GaN外延層表面開設(shè)的溝槽中，其中，所述GaN外延層固定連接于硅基襯底頂端表面；本實用新型通過采用GaN外延層刻蝕溝槽的方法實現(xiàn)了凹凸不平的AlGaN/GaN外延層設(shè)計，增加了AlGaN外延層和GaN外延層接觸面積，增加了外延層中的二維電子氣密度，提高了芯片導(dǎo)通的電流密度，提高了GaN基HEMT芯片的導(dǎo)電效率；同時該設(shè)計也增加了AlGaN外延層和GaN外延層接觸面積，增加了外延層中的二維電子氣面積，在兼顧了芯片的耐壓能力下，該設(shè)計可節(jié)省部分芯片面積，可降低GaN基HEMT芯片的成本。