單晶爐及單晶硅制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111490036.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114197033A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號(hào) CN114197033A 申請公布日 2022-03-18
分類號(hào) C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 歐子楊;楊宇昂;向鵬 申請（專利權(quán)）人 晶科能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯思誠業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 錢嫻靜
地址 334100江西省上饒市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晶科大道1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種單晶爐及單晶硅制備方法，單晶爐包括坩堝結(jié)構(gòu)、隔熱墊和驅(qū)動(dòng)裝置；坩堝結(jié)構(gòu)包括側(cè)面、過渡面及底面，底面的弧度小于30°，過渡面為連接底面及側(cè)面的弧面，隔熱墊位于過渡面及底面的外側(cè)，且當(dāng)隔熱墊與坩堝結(jié)構(gòu)接觸時(shí)，隔熱墊內(nèi)側(cè)與過渡面及底面的外側(cè)的接觸面積大于隔熱墊內(nèi)側(cè)面積的一半；驅(qū)動(dòng)裝置包括第一支撐軸和第二支撐軸，第一支撐軸連接坩堝結(jié)構(gòu)，第二支撐軸連接隔熱墊；驅(qū)動(dòng)裝置可帶動(dòng)隔熱墊相對(duì)坩堝結(jié)構(gòu)沿提拉方向下降以形成間隙，減弱坩堝結(jié)構(gòu)過渡面及底面受到的熱輻射強(qiáng)度，以降低硅熔體的縱向溫度梯度，達(dá)到降低單晶硅中氧含量的效果，從而提高了單晶硅的品質(zhì)，進(jìn)而提升了太陽能電池的效率。