硅晶體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011051284.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112195515B 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN112195515B 申請公布日 2022-03-01
分類號 C30B29/06（2006.01）I;C30B11/04（2006.01）I;C30B15/04（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 歐子楊;白梟龍;尚偉澤;金浩 申請（專利權(quán)）人 晶科能源股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成麗杰
地址 334100 江西省上饒市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)晶科大道1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種硅晶體的制備方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中摻雜有第一摻雜離子以及第二摻雜離子，第一摻雜離子為N型摻雜離子或者P型摻雜離子中的一者，第二摻雜離子為N型摻雜離子或者P型摻雜離子中的另一者，且第一摻雜離子在硅溶液中的分凝系數(shù)大于第二摻雜離子在硅溶液中的分凝系數(shù)；對硅溶液進(jìn)行凝固處理，以凝固部分硅溶液形成具有第一摻雜離子的第一類型硅晶體區(qū)，在形成第一類型硅晶體區(qū)之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二摻雜離子的第二類型硅晶體區(qū)。本發(fā)明實(shí)施例有利于提高硅晶體的成品產(chǎn)出率，降低硅晶體的制備成本。