一種P型雜質(zhì)擴(kuò)散結(jié)屏蔽柵硅二極管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111474738.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114171605A 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114171605A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛建軍;任亮;胡煜濤;賀鴻浩;金家斌;王俊;虞旭俊;蘇云清;蔣杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 傅朝棟;張法高
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種P型雜質(zhì)擴(kuò)散結(jié)屏蔽柵硅二極管及其制造方法。該方法首先在N?型（110）晶面硅單晶片的正面掩膜膠上劃切網(wǎng)格形式的腐蝕槽窗口，用硅各向異性擇優(yōu)腐蝕液對(duì)硅片正面的窗口進(jìn)行化學(xué)腐蝕，獲得直角凹槽；然后在硅擴(kuò)散片的正、反面分別擴(kuò)散入P+型和N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)，得到P+N?N+型硅擴(kuò)散片；最后對(duì)P+N?N+型硅擴(kuò)散片進(jìn)行噴砂、鍍鎳、鋸切、焊接、臺(tái)面鈍化、壓模成型，封裝成硅二極管。本發(fā)明利用靜電屏蔽效應(yīng)顯著改善器件反向擊穿電壓特性，產(chǎn)品性價(jià)比高，產(chǎn)生顯著經(jīng)濟(jì)效益。