切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201711395393.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108122755B | 公開（公告）日 | 2018-06-05 |
| 申請公布號 | CN108122755B | 申請公布日 | 2018-06-05 |
| 分類號 | H01L21/329(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 | 申請（專利權(quán)）人 | 杭州賽晶電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 傅朝棟;張法高 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法，涉及半導(dǎo)體器件的制造。本發(fā)明在硅片N+磷表面切割形成井字型交錯的溝槽，采用硅各向異性擇優(yōu)腐蝕液KOH對P+N?N+型硅擴散片上所述的溝槽進行化學(xué)腐蝕，待化學(xué)腐蝕反應(yīng)自動停止于錐形尖底后，在所述的溝槽處形成縱剖面呈等腰梯形且內(nèi)底角角度等于54.7°的錐形腐蝕槽，從而得到底部相連的硅芯陣列。本發(fā)明的優(yōu)點是工藝簡化，高效率低成本，產(chǎn)品性價比較高，產(chǎn)生顯著經(jīng)濟效益。?? |
