一種N+PN?PN+型正反向過壓保護(hù)硅二極管及其硅芯

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720180300.1 申請日 -
公開（公告）號 CN206524335U 公開（公告）日 2017-09-26
申請公布號 CN206524335U 申請公布日 2017-09-26
分類號 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 申請（專利權(quán)）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高;傅朝棟
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種N+PN?PN+型正反向過壓保護(hù)硅二極管及其硅芯，由下到上分別為N+型雜質(zhì)擴(kuò)散層、P型雜質(zhì)擴(kuò)散層、N?型原始硅單晶層、P型雜質(zhì)擴(kuò)散層、N+型雜質(zhì)擴(kuò)散層。硅芯側(cè)面為開放PN結(jié)臺面，該臺面由各向同性化學(xué)腐蝕獲得。同時公開了一種采用P型和N型兩種半導(dǎo)體雜質(zhì)在硅片上同步預(yù)沉積擴(kuò)散制造N+PN?PN+型硅二極管硅芯的工藝技術(shù)裝置。本實用新型所制造的N+PN?PN+型四重PN結(jié)正反向過壓保護(hù)硅二極管方法的優(yōu)點是：工藝簡化，生產(chǎn)周期短，易于規(guī)?；a(chǎn)，產(chǎn)品性價比高。