一種U型蝕刻直角臺面硅二極管及其硅芯和硅擴(kuò)散晶圓片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201620601264.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN205692839U | 公開(公告)日 | 2016-11-16 |
申請公布號 | CN205692839U | 申請公布日 | 2016-11-16 |
分類號 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 | 申請(專利權(quán))人 | 杭州賽晶電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 張法高;傅朝棟 |
地址 | 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種U型蝕刻直角臺面硅二極管硅芯,由下到上分別為P+型雜質(zhì)擴(kuò)散層、原始硅單晶N?型層和N+型雜質(zhì)擴(kuò)散層,硅芯側(cè)面的臺面呈直角,所述的直角臺面為完整光滑的平面。該直角臺面是由各向異性擇優(yōu)化學(xué)腐蝕獲得。同時,本實(shí)用新型還公開了一種制備所述硅芯的硅擴(kuò)散晶圓片及該硅芯制備的二極管。本實(shí)用新型的直角臺面硅二極管硅芯優(yōu)點(diǎn)是低成本,易于實(shí)現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn),產(chǎn)品性價比較高,產(chǎn)生顯著經(jīng)濟(jì)效益。 |
