切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711395393.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108122755A 公開（公告）日 2018-06-05
申請公布號 CN108122755A 申請公布日 2018-06-05
分類號 H01L21/329;H01L29/861;H01L29/04;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 申請（專利權）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 杭州賽晶電子有限公司
地址 310000 浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種切槽蝕刻錐形正臺面硅芯及硅二極管的制備方法，涉及半導體器件的制造。本發(fā)明在硅片N+磷表面切割形成井字型交錯的溝槽，采用硅各向異性擇優(yōu)腐蝕液KOH對P+N?N+型硅擴散片上所述的溝槽進行化學腐蝕，待化學腐蝕反應自動停止于錐形尖底后，在所述的溝槽處形成縱剖面呈等腰梯形且內(nèi)底角角度等于54.7°的錐形腐蝕槽，從而得到底部相連的硅芯陣列。本發(fā)明的優(yōu)點是工藝簡化，高效率低成本，產(chǎn)品性價比較高，產(chǎn)生顯著經(jīng)濟效益。