一種去本征區(qū)P+N+型低壓硅擴散片、硅二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710108976.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106653865B 公開（公告）日 2018-11-09
申請公布號 CN106653865B 申請公布日 2018-11-09
分類號 H01L29/861;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 申請（專利權(quán)）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 張法高;傅朝棟
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種去本征區(qū)P+N+型低壓硅擴散片、硅二極管及其制備方法。包括如下步驟：1)在N型硅單晶片的正、反兩表面同步分別擴散入P+型半導(dǎo)體雜質(zhì)硼和N+型半導(dǎo)體雜質(zhì)磷，并使P+型雜質(zhì)擴散區(qū)和N+型雜質(zhì)擴散區(qū)穿越N型硅本征區(qū)后對接會合，得到去硅本征區(qū)P+N+型硅擴散片；2)P+N+型硅擴散片經(jīng)鍍鎳、芯片鋸切、底座焊接、臺面鈍化，壓模成型，制成P+N+型低壓硅二極管。本發(fā)明有助于解決生產(chǎn)超低壓硅二極管之專用硅單晶制備難以及成本高的問題，選用硅單晶材料靈活，簡化工藝流程，有效縮短生產(chǎn)周期，提高產(chǎn)品性價比，產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣，具有顯著經(jīng)濟效益。