異型雜質擴散對接的P+N+型低壓硅擴散片及其硅二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811087458.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109216471A 公開（公告）日 2019-01-15
申請公布號 CN109216471A 申請公布日 2019-01-15
分類號 H01L29/861;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 申請（專利權）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機構 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 傅朝棟;張法高
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種異型雜質擴散對接的P+N+型低壓硅擴散片及其硅二極管。包括如下步驟：1)在N型硅單晶片的正、反兩表面同步分別擴散入P+型半導體雜質硼和N+型半導體雜質磷，并使P+型雜質擴散區(qū)和N+型雜質擴散區(qū)穿越N型硅本征區(qū)后對接會合，得到去硅本征區(qū)P+N+型硅擴散片；2)P+N+型硅擴散片經鍍鎳、芯片鋸切、底座焊接、臺面鈍化，壓模成型，制成P+N+型低壓硅二極管。本發(fā)明有助于解決生產超低壓硅二極管之專用硅單晶制備難以及成本高的問題，選用硅單晶材料靈活，簡化工藝流程，有效縮短生產周期，提高產品性價比，產品應用范圍廣，具有顯著經濟效益。