一種錐形槽面硅二極管及其芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721806336.2 申請日 -
公開（公告）號 CN207572371U 公開（公告）日 2018-07-03
申請公布號 CN207572371U 申請公布日 2018-07-03
分類號 H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳福元;胡煜濤;毛建軍;任亮;蘇云清;虞旭俊 申請（專利權(quán)）人 杭州賽晶電子有限公司
代理機構(gòu) 杭州求是專利事務所有限公司 代理人 傅朝棟;張法高
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)靖江街道和順村黎明社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種錐形槽面硅二極管及其芯片，屬于半導體器件制造領(lǐng)域。該二極管的芯片由上到下分別為金屬層、P+型雜質(zhì)擴散層、N?型原始硅單晶層、N+型雜質(zhì)擴散層、金屬層；硅芯側(cè)面為垂直PN結(jié)臺面。芯片表面呈網(wǎng)格狀分布有若干錐形槽；每個錐形槽處，P+型雜質(zhì)擴散層向下凹陷形成倒正四棱錐面，且芯片不同位置處的P+型雜質(zhì)擴散層厚度相同。本實用新型的硅二極管的優(yōu)點是：硅芯電流容量大，工藝簡化，易于規(guī)?；a(chǎn)，產(chǎn)品性價比高。