銦鎵砷光電探測器芯片制作的箱式鋅擴散方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410036170.1 申請日 -
公開（公告）號 CN100472719C 公開（公告）日 2009-03-25
申請公布號 CN100472719C 申請公布日 2009-03-25
分類號 H01L21/22(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐之韜;邱樹添 申請（專利權）人 廈門市三安光電股份有限公司
代理機構 廈門原創(chuàng)專利事務所 代理人 廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了銦鎵砷光電探測器芯片制作的箱式鋅擴散方法：將鋅擴散源和擴散晶片放入位于擴散管中的石英箱中，經(jīng)抽真空/充氮氣循環(huán)，在氮氣保護氣體中進行鋅擴散，用這種方法獲得的芯片不僅和真空封管擴散所獲得的芯片具有同樣的均勻性，重復性和光電特性，而且工藝簡單，方便，安全，成本低，適合于大批量生產(chǎn)。