一種P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02108834.9 申請日 -
公開（公告）號 CN1279585C 公開（公告）日 2006-10-11
申請公布號 CN1279585C 申請公布日 2006-10-11
分類號 H01L21/20(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王向武 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安光電股份有限公司
代理機構(gòu) 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所 代理人 廈門三安電子有限公司;廈門市三安光電科技有限公司
地址 361009福建省廈門市何厝嶺兜開元科技園三樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種P型III族氮化物材料的制作方法，用于制作光電器件的P型導(dǎo)電層，通過改變組分使四元氮化物的禁帶寬度低于氮化鎵的寬度，從而提高P型雜質(zhì)的電離率，使得P型III族氮化物材料在同樣的摻雜水平下獲得高的空穴濃度，并且降低電阻率，這樣就可以通過提高載流子濃度，從而提高注入效率(比)，使得器件內(nèi)量子效率提高、發(fā)光強度提高。