用于銦鎵砷/磷化銦平面PIN光電探測器芯片制作的外延片結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410036171.6 申請日 -
公開（公告）號 CN1767217A 公開（公告）日 2006-05-03
申請公布號 CN1767217A 申請公布日 2006-05-03
分類號 H01L31/075(2006.01);H01L31/0264(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐之韜 申請（專利權）人 廈門市三安光電股份有限公司
代理機構 廈門原創(chuàng)專利事務所 代理人 廈門三安電子有限公司;廈門市三安光電股份有限公司
地址 361009福建省廈門市呂嶺路1721號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種制造長波長光通信用銦鎵砷/磷化銦平面PIN光電探測器芯片的III－V族化合物半導體材料；在進行銦鎵砷/磷化銦平面PIN光電探測器芯片制作中，外延片結構決定了芯片的基本光電特性，制作這種芯片的外延片頂層常用磷化銦材料；本發(fā)明提供了一種新的外延片結構：其頂層不是磷化銦二元層，而是GaxIn1－xAsyP1－y四元層，采用該結構制作的平面PIN光電探測器不僅具有高的穩(wěn)定可靠性，高響應度，低暗電流，而且還具有高工作速率，寬動態(tài)范圍和低工作電壓。