一種高世代TFT級細(xì)晶粒ITO靶材的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110137140.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112723863A | 公開(公告)日 | 2021-04-30 |
申請公布號 | CN112723863A | 申請公布日 | 2021-04-30 |
分類號 | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/34;C23C14/35 | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 李鵬;文宏福 | 申請(專利權(quán))人 | 韶關(guān)市歐萊高純材料技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 林曉宏 |
地址 | 512000 廣東省韶關(guān)市武江區(qū)西聯(lián)鎮(zhèn)陽山村委陽山五號路6號韶關(guān)市歐萊高新材料有限公司B幢廠房辦公區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高世代TFT級細(xì)晶粒ITO靶材的制造方法,包括粉末制備步驟、混合研磨步驟、噴霧造粒步驟、壓制成型步驟和燒結(jié)成型步驟。本發(fā)明的ITO靶材的制造方法,能制造大尺寸高密度晶粒的ITO靶材,靶材密度>99.9%,均晶粒直徑控制在3至5μm。 |
