一種無銥區(qū)熔法氧化鎵晶體的生長裝置及生長方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202210607364.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114686965A | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請公布號 | CN114686965A | 申請公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號 | C30B13/16（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張輝;王嘉斌;夏寧;馬可可;李成;吳丹;楊德仁 | 申請（專利權(quán)）人 | 浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州裕陽聯(lián)合專利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種無銥區(qū)熔法氧化鎵晶體的生長裝置及生長方法。本發(fā)明中提及的無銥區(qū)熔法屬于熔體法生長單晶的方法，不使用貴金屬作為發(fā)熱源，通過外部的發(fā)熱體發(fā)熱，熱量通過高透過率、高導(dǎo)熱性能材料做成的氣氛隔離裝置，將固體氧化鎵多晶料棒或者陶瓷棒加熱融化，然后將籽晶與熔體接觸，通過對溫度、升降、轉(zhuǎn)速等工藝條件進(jìn)行控制，使熔融區(qū)逐步的上移，進(jìn)而使遠(yuǎn)離熱場的熔體區(qū)按照籽晶晶向進(jìn)行定向結(jié)晶，最終獲得大尺寸、高質(zhì)量、確定晶向的氧化鎵單晶。 |
