一種可控生長六角星形單層MoS2的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210165317.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114212824B 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN114212824B 申請公布日 2022-06-28
分類號 C01G39/06（2006.01）I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 王佩劍;藍(lán)善貴;劉影;張致翔;俞濱 申請（專利權(quán)）人 浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心
代理機構(gòu) 杭州五洲普華專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 310000浙江省杭州市蕭山區(qū)市心北路99號5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于二維層狀材料制備的技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種可控生長六角星形單層MoS2的方法。通過將粒徑尺寸為40?50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si襯底倒扣于石墨槽頂部，利用常壓化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可大規(guī)模地合成六角星形單層MoS2。由于MoO3粉末粒徑尺寸較?。?0?50 nm），可提供充足的形核位點，使用本發(fā)明提供的方法可以大規(guī)模地可控合成六角星形單層MoS2，在制作大規(guī)?；诙S層狀材料的憶阻器件領(lǐng)域有應(yīng)用前景。