一種超聲換能器用壓電陣元的制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110445995.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113314663A | 公開(公告)日 | 2021-08-27 |
申請公布號 | CN113314663A | 申請公布日 | 2021-08-27 |
分類號 | H01L41/337(2013.01)I;H01L41/29(2013.01)I;H01L41/31(2013.01)I;H01L41/312(2013.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉悅;劉恩清;馬有草;宋健 | 申請(專利權(quán))人 | 淄博微銓新型金屬功能材料有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京安博達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐國文 |
地址 | 255086山東省淄博市高新區(qū)柳泉路125號先進陶瓷產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園A座510-10 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種超聲換能器用壓電陣元的制作方法,其包括將壓電陶瓷片減薄至50μm或其以下厚度;于減薄后的壓電陶瓷片的兩表面分別沉積電極后,再于其中一個表面設置背襯材料,得初始壓電陣元;切割初始壓電陣元,得壓電陣元。本發(fā)明提供的技術(shù)方案利用減薄壓電陣元中壓電陶瓷片厚度的工藝,同時實現(xiàn)了壓電陣元總體厚度的減小,以及對壓電陶瓷片厚度的精確控制,獲得了具有可調(diào)諧振頻率的壓電陣元;本發(fā)明采用的減薄后再沉積電極、設置背襯材料的技術(shù)方案既可使背襯材料設置均勻,又不影響對壓電陶瓷片與背襯材料的結(jié)合。 |
