一種三維納米多孔硅的制備裝置及制備系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611159904.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106744672A 公開（公告）日 2017-05-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN106744672A 申請(qǐng)公布日 2017-05-31
分類號(hào) B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 超微技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 洪捐;耿其東;周兆鋒;杜建周;黃因慧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇海州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鹽城工學(xué)院;江蘇海州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì);南京卓勝自動(dòng)化設(shè)備有限公司
地址 224000 江蘇省鹽城市世紀(jì)大道1166號(hào)研創(chuàng)大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米多孔硅材料的制備領(lǐng)域，提供了一種三維納米多孔硅的制備裝置，包括底座、激波發(fā)生器、激波電源、工作液槽、化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器以及溫度計(jì)，激波發(fā)生器設(shè)置于底座的頂部，工作液槽設(shè)置于激波發(fā)生器的頂部，化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器通過夾持裝置設(shè)置于工作液槽內(nèi)，溫度計(jì)設(shè)置于化學(xué)刻蝕反應(yīng)容器內(nèi)，工作液槽內(nèi)設(shè)置有加熱元件，激波電源設(shè)置于底座的側(cè)壁，激波發(fā)生器和加熱元件均與激波電源電路連接。該裝置操作簡(jiǎn)單，且其制得的三維納米多孔硅產(chǎn)率、高孔洞分布均勻、孔徑尺寸均勻。本發(fā)明還提供了一種三維納米多孔硅的制備系統(tǒng)，其包括上述的三維納米多孔硅的制備裝置，該系統(tǒng)制得的三維納米多孔硅產(chǎn)率高品質(zhì)好。