一種三維納米多孔硅的制備方法及制備裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201611161421.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN106744971A | 公開(公告)日 | 2017-05-31 |
申請公布號 | CN106744971A | 申請公布日 | 2017-05-31 |
分類號 | C01B33/021(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分類 | 無機化學; |
發(fā)明人 | 洪捐;杜建周;岳鹿;陳松;黃因慧 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇海州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會 |
代理機構(gòu) | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 欒波 |
地址 | 224000 江蘇省鹽城市世紀大道1166號研創(chuàng)大廈 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及納米多孔硅材料的制備領(lǐng)域,提供了一種三維納米多孔硅的制備方法,包括:將采用氫氟酸清洗后的硅顆粒放入化學刻蝕液中進行化學刻蝕,并在化學刻蝕的過程中施加激波輔助;將經(jīng)過化學刻蝕后的硅顆粒依次通過稀硝酸和去離子水進行清洗;將清洗后的硅顆粒進行離心提取。該方法采用激波輔助對硅顆粒進行化學刻蝕,成本低、效率高所制備的三維納米多孔硅的孔隙分布均勻。本發(fā)明還提供了一種用于實施上述方法的三維納米多孔硅的制備裝置,該裝置設(shè)置有激波發(fā)生器。該裝置能夠在三維納米多孔硅的制備過程中對硅顆粒進行激波輔助使得最終制得的三維納米多孔硅的孔徑分布均勻,且其構(gòu)造簡單操作方便。 |
