一種三維納米多孔硅的制備方法及制備裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611161421.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106744971A 公開(kāi)（公告）日 2017-05-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN106744971A 申請(qǐng)公布日 2017-05-31
分類(lèi)號(hào) C01B33/021(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類(lèi) 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 洪捐;杜建周;岳鹿;陳松;黃因慧 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇海州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 欒波
地址 224000 江蘇省鹽城市世紀(jì)大道1166號(hào)研創(chuàng)大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米多孔硅材料的制備領(lǐng)域，提供了一種三維納米多孔硅的制備方法，包括：將采用氫氟酸清洗后的硅顆粒放入化學(xué)刻蝕液中進(jìn)行化學(xué)刻蝕,并在化學(xué)刻蝕的過(guò)程中施加激波輔助；將經(jīng)過(guò)化學(xué)刻蝕后的硅顆粒依次通過(guò)稀硝酸和去離子水進(jìn)行清洗；將清洗后的硅顆粒進(jìn)行離心提取。該方法采用激波輔助對(duì)硅顆粒進(jìn)行化學(xué)刻蝕，成本低、效率高所制備的三維納米多孔硅的孔隙分布均勻。本發(fā)明還提供了一種用于實(shí)施上述方法的三維納米多孔硅的制備裝置，該裝置設(shè)置有激波發(fā)生器。該裝置能夠在三維納米多孔硅的制備過(guò)程中對(duì)硅顆粒進(jìn)行激波輔助使得最終制得的三維納米多孔硅的孔徑分布均勻，且其構(gòu)造簡(jiǎn)單操作方便。