一種超大尺寸鈮酸鋰單晶的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110768733.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113529170A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113529170A 申請公布日 2021-10-22
分類號 C30B29/30;C30B15/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 孫德輝;王蒙;韓文斌;劉宏 申請（專利權(quán)）人 山東恒元半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南譽(yù)豐專利代理事務(wù)所（普通合伙企業(yè)） 代理人 薛鵬喜
地址 271199 山東省濟(jì)南市萊蕪高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)匯源大街67號高創(chuàng)中心1423-a01
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超大尺寸鈮酸鋰單晶的生長方法，包括以下步驟：（1）采用提拉法制備小尺寸晶體；在小尺寸晶體生長結(jié)束后提拉一段細(xì)頸；在細(xì)頸提拉結(jié)束后，進(jìn)入擴(kuò)肩、等徑和收尾階段，完成超大尺寸鈮酸鋰單晶的生長；（2）超大尺寸鈮酸鋰單晶生長結(jié)束后，冷卻，將超大尺寸鈮酸鋰單晶與細(xì)頸分離，獲得超大尺寸鈮酸鋰單晶。本發(fā)明解決了提拉法制備超大尺寸鈮酸鋰單晶在擴(kuò)肩時，由中心熱量對流不利而導(dǎo)致的凹陷這一現(xiàn)象，將顯著滿足新一代聲學(xué)芯片大規(guī)模量產(chǎn)最亟需的戰(zhàn)略大尺寸晶體材料的需求。