共振隧穿二極管晶圓結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810488345.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108648997B 公開（公告）日 2020-02-18
申請公布號 CN108648997B 申請公布日 2020-02-18
分類號 H01L21/329;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張翠;丁慶;楊旻蔚;孫竹;許奔 申請（專利權(quán)）人 雄安華訊方舟科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 官建紅
地址 071700 河北省保定市容城縣容蠡路西側(cè)華北機電城2號樓1號房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種共振隧穿二極管晶圓結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：提供襯底；在襯底上依次層疊沉積的第一重?fù)诫sInGaAs層、InP層、第一AlAs勢壘層、InGaAs勢阱層、第二AlAs勢壘層和第二重?fù)诫sInGaAs層；在所述第二重?fù)诫sInGaAs層上沉積金屬圖形，形成第二歐姆接觸；在金屬圖形以外的區(qū)域，先用可刻蝕InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蝕InP材料的第一刻蝕液從第二重?fù)诫sInGaAs層刻蝕至InP層，再用可刻蝕InP材料、但不刻蝕InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蝕液刻蝕至第一重?fù)诫sInGaAs層；在經(jīng)刻蝕處理后的第一重?fù)诫sInGaAs層上沉積金屬形成第一歐姆接觸。