半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)能電池的制造系統(tǒng)和方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010149892.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102024870B 公開(kāi)（公告）日 2013-07-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN102024870B 申請(qǐng)公布日 2013-07-24
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林朝暉;李曉常 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建歐德生光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 362000 福建省泉州市鯉城區(qū)江南高新科技電子信息產(chǎn)業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)能電池的制造系統(tǒng)和方法，能夠在熱化學(xué)反應(yīng)生成化合物薄膜的過(guò)程中提供連續(xù)、平穩(wěn)的熱化學(xué)變溫反應(yīng)條件，特別適合于高量產(chǎn)、連續(xù)、穩(wěn)定可控地制造銅銦鎵硒多晶薄膜太陽(yáng)能電池的吸收層。