一種硅漂移探測器與結(jié)型場效應(yīng)晶體管集成芯片及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011062072.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112071873A 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN112071873A 申請公布日 2020-12-11
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉曼文;李正 申請（專利權(quán)）人 湖南正芯微電子探測器有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 湖南正芯微電子探測器有限公司
地址 411101湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅漂移探測器與結(jié)型場效應(yīng)晶體管集成芯片，包括：襯底；耗盡層，形成于所述襯底上；深p型溝道，橫向設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)；n型硅體，橫向設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且位置所述深p型溝道上方；間隔排列在所述n型硅體上方且位置耗盡層內(nèi)的第一n型重?fù)诫s區(qū)、p型重?fù)诫s區(qū)、第二n型重?fù)诫s區(qū)；p型摻雜區(qū)，設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且與所述第二n型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置；第三n型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且與所述p型摻雜區(qū)間隔設(shè)置；陰極環(huán)，設(shè)置于耗盡層內(nèi)，與第三n型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置。本發(fā)明將超大面積硅漂移探測器與結(jié)型場效應(yīng)晶體管集成在一個芯片上，大大減少封裝的難度，以及芯片集成時所占的面積，且便于探測器與場效應(yīng)管的參數(shù)調(diào)節(jié)。??