一種硅漂移探測(cè)器與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成芯片及制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011062072.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112071873A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071873A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉曼文;李正 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南正芯微電子探測(cè)器有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 湖南正芯微電子探測(cè)器有限公司 |
| 地址 | 411101湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅漂移探測(cè)器與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成芯片，包括：襯底；耗盡層，形成于所述襯底上；深p型溝道，橫向設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)；n型硅體，橫向設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且位置所述深p型溝道上方；間隔排列在所述n型硅體上方且位置耗盡層內(nèi)的第一n型重?fù)诫s區(qū)、p型重?fù)诫s區(qū)、第二n型重?fù)诫s區(qū)；p型摻雜區(qū)，設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且與所述第二n型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置；第三n型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)置于所述耗盡層內(nèi)且與所述p型摻雜區(qū)間隔設(shè)置；陰極環(huán)，設(shè)置于耗盡層內(nèi)，與第三n型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置。本發(fā)明將超大面積硅漂移探測(cè)器與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成在一個(gè)芯片上，大大減少封裝的難度，以及芯片集成時(shí)所占的面積，且便于探測(cè)器與場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)調(diào)節(jié)。?? |
