硅漂移探測器與放大器的制冷封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110616625.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113192944A 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113192944A 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L25/16;H01L23/38 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉曼文;李正 申請（專利權）人 湖南正芯微電子探測器有限公司
代理機構 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 武君
地址 411101 湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅漂移探測器與放大器的制冷封裝結構，包括：腔體，所述腔體上開設有光學窗口；硅漂移探測器，設置于所述腔體內(nèi)；準直器，設置于所述腔體內(nèi)，將透過所述光學窗口的光線耦合至所述硅漂移探測器的光接收端；放大器，設置于所述腔體內(nèi)，與所述硅漂移探測器電連接，用于放大所述硅漂移探測器的輸出信號；制冷器件，具有冷端和熱端，所述冷端靠近所述腔體設置，所述熱端遠離所述腔體設置。本發(fā)明采用半導體制冷器件，具有無需制冷劑、可連續(xù)工作、沒有污染、結構簡單、噪聲小、壽命長、效率高、耗電低、易于控制操作等特點，既能制冷又能制熱，可以讓探測器在常溫下工作，也可以在深空環(huán)境或者極端環(huán)境下工作。