一種梳狀硅像素探測單元及梳狀硅像素探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021495440.6 申請日 -
公開（公告）號 CN212323002U 公開（公告）日 2021-01-08
申請公布號 CN212323002U 申請公布日 2021-01-08
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李正;李玉云 申請（專利權(quán)）人 湖南正芯微電子探測器有限公司
代理機構(gòu) 長沙新裕知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 湖南正芯微電子探測器有限公司
地址 411100湖南省湘潭市岳塘區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)4棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種梳狀硅像素探測單元及梳狀硅像素探測器，梳狀硅像素探測器為采用梳狀硅像素探測單元組成的梳狀硅像素探測單元陣列。梳狀硅像素探測單元包括硅基體，硅基體頂面生成有二氧化硅層，二氧化硅層內(nèi)刻蝕有P+陰極，硅基體的底面刻蝕有n+陽極；P+陰極由第一梳狀陰極和第二梳狀陰極組成，第一梳狀陰極和第二梳狀陰極由一個L型陰極以及位于L型陰極內(nèi)并與其連接的多個條型陰極組成，兩者的L型陰極相距一定距離相對設(shè)置，兩者的多個條型陰極相互平行交叉設(shè)置，且第一梳狀陰極的L型陰極不與第二梳狀陰極的條型陰極連接，其條型陰極不與第二梳狀陰極的L型陰極連接。實現(xiàn)了硅像素探測器的空間二維位置分辨，分辨率高、工藝簡單。??