一種硅漂移探測器與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022222153.4 申請日 -
公開（公告）號 CN212342629U 公開（公告）日 2021-01-12
申請公布號 CN212342629U 申請公布日 2021-01-12
分類號 H01L27/146(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉曼文;李正 申請（專利權(quán)）人 湖南正芯微電子探測器有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 湖南正芯微電子探測器有限公司
地址 411101湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種硅漂移探測器與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成器件，包括：硅體；p型硅體，位于硅體內(nèi)，且上表面與硅體的上表面齊平；柵極設(shè)置于所述二氧化硅層上，且位于p型硅體的上方；源極、漏極分別設(shè)置于柵極的兩側(cè)，位于p型硅體內(nèi)且與p型硅體的表面齊平；p型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)置于硅體內(nèi)，圍繞金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管且與p型硅體的表面齊平；陽極收集電極，位于所述硅體內(nèi)，與p型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置且與p型硅體的表面齊平；陰極環(huán)，位于硅體內(nèi)，與陽極收集電極間隔設(shè)置且與p型硅體的表面齊平；二氧化硅層，設(shè)置于硅體上，與硅體接觸；通過刻蝕二氧化硅層露出陰極環(huán)、陽極收集電極、p型重?fù)诫s區(qū)、源極、漏極。??