一種單面陰極為螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的硅像素探測器及其陣列
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021476273.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212517206U | 公開（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申請公布號 | CN212517206U | 申請公布日 | 2021-02-09 |
| 分類號 | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李正;程敏 | 申請（專利權(quán)）人 | 湖南正芯微電子探測器有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長沙新裕知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉加 |
| 地址 | 411100湖南省湘潭市岳塘區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)4棟4樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種單面陰極為螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的硅像素探測器及其陣列，包括N型高阻硅襯底，N型高阻硅襯底的頂面上生成有SiO2氧化層，SiO2氧化層上經(jīng)刻蝕、離子注入形成有P+重?fù)诫s陰極螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)，P+重?fù)诫s陰極螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)為平面螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)，且P+重?fù)诫s陰極螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的中心位置設(shè)置有與其連接的收集陰極，N型高阻硅襯底的底面經(jīng)刻蝕、離子注入形成有n+重?fù)诫s離子注入層。P+重?fù)诫s陰極螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)以收集陰極作為起始位置逆時針呈方形或多邊形向外螺旋延伸至SiO2氧化層的任意一側(cè)邊緣。單面陰極為螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的硅像素探測器組成單面陰極為螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的硅像素探測器陣列。減小了探測器有效工作面積，保證探測器低電容的優(yōu)勢。?? |
