一種硅漂移探測(cè)器與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011065727.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112071874A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071874A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉曼文;李正 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南正芯微電子探測(cè)器有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 湖南正芯微電子探測(cè)器有限公司 |
| 地址 | 411101湖南省湘潭市高新區(qū)雙擁路9號(hào)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園C區(qū)10棟4樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅漂移探測(cè)器與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成器件，包括：硅體；p型硅體，位于硅體內(nèi)，且上表面與硅體的上表面齊平；柵極設(shè)置于所述二氧化硅層上，且位于p型硅體的上方；源極、漏極分別設(shè)置于柵極的兩側(cè)，位于p型硅體內(nèi)且與p型硅體的表面齊平；p型重?fù)诫s區(qū)，設(shè)置于硅體內(nèi)，圍繞金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管且與p型硅體的表面齊平；陽(yáng)極收集電極，位于所述硅體內(nèi)，與p型重?fù)诫s區(qū)間隔設(shè)置且與p型硅體的表面齊平；陰極環(huán)，位于硅體內(nèi)，與陽(yáng)極收集電極間隔設(shè)置且與p型硅體的表面齊平；二氧化硅層，設(shè)置于硅體上，與硅體接觸；通過(guò)刻蝕二氧化硅層露出陰極環(huán)、陽(yáng)極收集電極、p型重?fù)诫s區(qū)、源極、漏極。?? |
