一種化成箔的裁切方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110867440.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113314347B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113314347B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-08 |
分類號(hào) | H01G9/04 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 丁磊;金俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南通江海電容器股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 毛姍 |
地址 | 226361 江蘇省南通市通州區(qū)平潮鎮(zhèn)通揚(yáng)南路79號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明尤其涉及一種化成箔的裁切方法,包括如下步驟:S1:在一卷化成箔的卷首位置和卷尾位置均標(biāo)記有若干比容測(cè)試點(diǎn),卷首若干比容測(cè)試點(diǎn)和卷尾若干比容測(cè)試點(diǎn)的數(shù)量相對(duì),且均沿化成箔卷的寬度方向依次分布,每組卷首比容測(cè)試點(diǎn)和卷尾比容測(cè)試點(diǎn)沿化成箔卷的長(zhǎng)度方向相對(duì)設(shè)置,測(cè)得各個(gè)比容測(cè)試點(diǎn)的比容值;S2:在化成箔卷上裁切若干一定寬度為D的化成箔餅,得出每餅化成箔上的比容測(cè)試點(diǎn)的最小比容值Vmin;S3:由電容器的電容容量C、化成箔餅的寬度D、化成箔餅上比容測(cè)試點(diǎn)的最小比容值Vmin,以及系數(shù)K,得知待裁切化成箔的開片長(zhǎng)度L=C/(K*Vmin*D),并在化成箔餅上依次裁切出若干開片長(zhǎng)度為L(zhǎng)的化成箔。 |
