利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310031849.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103103494B 公開（公告）日 2014-12-24
申請公布號 CN103103494B 申請公布日 2014-12-24
分類號 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李豐;潘革波;葛海雄 申請（專利權）人 南京豐強納米科技有限公司
代理機構 南京知識律師事務所 代理人 汪旭東
地址 201400 上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)八字橋路1919號2幢8層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用原子層沉積技術在SERS基底上制備氧化物表面的方法，通過前驅體脈沖和氧源脈沖的交替通入，在SERS表面上發(fā)生化學吸附反應使其表面形成一層氧化物薄膜。本發(fā)明通過利用ALD技術在SERS基底上制備一層厚度小于5nm的、致密的、穩(wěn)定的氧化物表面，從而改善原有SERS基底的表面不均一，性能不穩(wěn)定，重現(xiàn)性差的缺點。