一種基于泰伯效應(yīng)恢復(fù)光柵缺陷的紫外光刻方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610348109.3 申請日 -
公開（公告）號 CN105892232A 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN105892232A 申請公布日 2016-08-24
分類號 G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 鄧茜;劉俊伯;趙立新;胡松 申請（專利權(quán)）人 四川科奧達(dá)技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐金瓊
地址 610207 四川省成都市雙流航空港開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于泰伯效應(yīng)恢復(fù)光柵缺陷的紫外光刻方法，屬于微電子、微光學(xué)、微納結(jié)構(gòu)和光電子器件制備等微納加工領(lǐng)域的光刻技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有技術(shù)存在的極紫外光源體積大，成本高，操作安全系數(shù)難以保證的問題。本發(fā)明步驟為：(1)制備存在不同缺陷的一維線性掩膜版；(2)獲取涂有光刻膠的樣片，并將掩膜版與樣片進(jìn)行對準(zhǔn)；(3)獲取紫外i線光對存在缺陷的掩膜版進(jìn)行照明和對涂有光刻膠的樣片進(jìn)行曝光；(4)將曝光后的樣片進(jìn)行顯影，后烘，刻蝕，去膠工藝,即可完成對存在缺陷的一維線性掩膜的缺陷恢復(fù),制作得到完好一致的線性掩膜版。本發(fā)明可用于對缺陷掩膜結(jié)構(gòu)的完整恢復(fù)。