用于片上集成的整流橋結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710099378.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106847809B 公開（公告）日 2018-09-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN106847809B 申請(qǐng)公布日 2018-09-04
分類號(hào) H01L27/04;H02M7/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐義強(qiáng);康明輝;范建林;朱波;曾紅霞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫新硅微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫新硅微電子有限公司;南京國博電子有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)龍山路4號(hào)旺莊科技創(chuàng)業(yè)中心B棟1204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于片上集成的整流橋結(jié)構(gòu)，屬于電路領(lǐng)域。該整流橋結(jié)構(gòu)包括構(gòu)成整流橋的四個(gè)二極管、兩個(gè)少子保護(hù)環(huán)；四個(gè)所述二極管中的第一二極管和第二二極管分別被一個(gè)少子保護(hù)環(huán)包圍；所述少子保護(hù)環(huán)由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋層BN構(gòu)成，所述少子保護(hù)環(huán)貫穿所述二極管所在的P型外延層；所述少子保護(hù)環(huán)中的所述DNW通過金屬線與P型源漏PSD連接，所述PSD被淺P阱SPWELL包圍；解決了現(xiàn)有技術(shù)中將整流橋和主芯片集成到同一塊襯底時(shí)，整流橋會(huì)出現(xiàn)寄生漏電的問題；達(dá)到了能夠?qū)⒄鳂蚝椭餍酒傻酵粔K襯底，提高產(chǎn)品的集成程度的效果。