新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021249584.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212277161U | 公開（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請公布號 | CN212277161U | 申請公布日 | 2021-01-01 |
| 分類號 | H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳堃;楊猛 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201500上海市金山區(qū)衛(wèi)昌路293號2幢12638室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置包括：主體腔；位于所述主體腔內(nèi)的可移動上電極和晶圓夾持平臺，所述可移動上電極和所述晶圓夾持平臺相對設(shè)置；位于所述主體腔內(nèi)的且位于所述晶圓夾持平臺側(cè)部的射頻隔離環(huán)；位于所述主體腔內(nèi)的等離子體約束環(huán)，所述等離子體約束環(huán)位于所述可移動上電極的邊緣區(qū)域的底部，所述等離子體約束環(huán)與所述射頻隔離環(huán)之間具有間隙；所述可移動上電極與所述晶圓夾持平臺和所述射頻隔離環(huán)之間用于容納晶圓。所述新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置能夠提高邊緣刻蝕區(qū)域的刻蝕精度和刻蝕效率。?? |
