感性耦合反應(yīng)器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021504258.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212485279U | 公開(公告)日 | 2021-02-05 |
申請公布號 | CN212485279U | 申請公布日 | 2021-02-05 |
分類號 | H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳堃 | 申請(專利權(quán))人 | 上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 201500上海市金山區(qū)衛(wèi)昌路293號2幢12638室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種感性耦合反應(yīng)器,包括:反應(yīng)腔主體;位于所述反應(yīng)腔主體上方的感性耦合射頻單元;所述感性耦合射頻單元包括:屏蔽罩;位于所述屏蔽罩內(nèi)部的反應(yīng)室介質(zhì)管,所述反應(yīng)室介質(zhì)管的外側(cè)壁傾斜且反應(yīng)室介質(zhì)管的頂部橫截面小于底部橫截面,所述反應(yīng)室介質(zhì)管內(nèi)側(cè)壁還設(shè)置有隔離件,所述隔離件將反應(yīng)室介質(zhì)管的內(nèi)部區(qū)域分為第一反應(yīng)區(qū)域和位于第一反應(yīng)區(qū)域兩側(cè)的第二反應(yīng)區(qū)域;位于所述屏蔽罩內(nèi)部且分布于所述反應(yīng)室介質(zhì)管側(cè)部的射頻天線。所述感性耦合反應(yīng)器能加強對等離子分布的控制能力。?? |
