感性耦合反應(yīng)器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021506952.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212322965U | 公開(公告)日 | 2021-01-08 |
申請公布號 | CN212322965U | 申請公布日 | 2021-01-08 |
分類號 | H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳堃 | 申請(專利權(quán))人 | 上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 201500上海市金山區(qū)衛(wèi)昌路293號2幢12638室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種感性耦合反應(yīng)器包括:反應(yīng)腔主體;位于所述反應(yīng)腔主體上方的感性耦合等離子體源;所述感性耦合等離子體源包括:第一反應(yīng)介質(zhì)室;位于第一反應(yīng)介質(zhì)室上方的第二反應(yīng)介質(zhì)室,所述第二反應(yīng)介質(zhì)室的底部和所述第一反應(yīng)介質(zhì)室的頂部中間區(qū)域貫通,所述第二反應(yīng)介質(zhì)室的側(cè)壁底部延伸至所述第一反應(yīng)介質(zhì)室內(nèi)且高度可調(diào);位于所述第一反應(yīng)介質(zhì)室側(cè)部的下射頻天線;位于所述第二反應(yīng)介質(zhì)室側(cè)部的上射頻天線;所述上射頻天線饋入的射頻功率和所述下射頻天線饋入的射頻功率分別可調(diào)。所述感性耦合反應(yīng)器能夠加強(qiáng)對等離子分布的控制能力。?? |
