新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021249588.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212277162U | 公開（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請公布號 | CN212277162U | 申請公布日 | 2021-01-01 |
| 分類號 | H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳堃;楊猛 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201500上海市金山區(qū)衛(wèi)昌路293號2幢12638室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，包括：刻蝕系統(tǒng)，刻蝕系統(tǒng)包括:下電極;上電極;位于下電極和上電極之間的射頻隔離環(huán);射頻隔離環(huán)包括:位于下電極外部區(qū)域的下射頻隔離環(huán);位于上電極外部區(qū)域的上射頻隔離環(huán),上射頻隔離環(huán)和下射頻隔離環(huán)之間具有間隙；傳片系統(tǒng)；刻蝕系統(tǒng)位于傳片系統(tǒng)的側(cè)部,刻蝕系統(tǒng)和傳片系統(tǒng)集成在一起；光學(xué)定位系統(tǒng)，光學(xué)定位系統(tǒng)包括：校準(zhǔn)晶圓；光學(xué)探測部件；光學(xué)接收部件；修正單元，所述修正單元適于根據(jù)光學(xué)接收部件對校準(zhǔn)晶圓和晶圓分別獲取的光信息的差別修正晶圓的位置。所述新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置能夠提高對晶圓邊緣區(qū)域的刻蝕重復(fù)性。?? |
