新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021252815.6 申請日 -
公開（公告）號 CN212136401U 公開（公告）日 2020-12-11
申請公布號 CN212136401U 申請公布日 2020-12-11
分類號 H01L21/67(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳堃 申請（專利權(quán)）人 上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201500上海市金山區(qū)衛(wèi)昌路293號2幢12638室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置，包括：位于主體腔內(nèi)的上電極和下電極，上電極和下電極相對設(shè)置，上電極和下電極施加的射頻頻率相同,上電極和下電極之間的電位幅值差小于等于第一閾值，上電極和下電極之間的電位相位差小于等于第二閾值；側(cè)面電極連接件，側(cè)面電極連接件具有第一位置狀態(tài)和第二位置狀態(tài),側(cè)面電極連接件在第一位置狀態(tài)下環(huán)繞上電極和下電極的側(cè)部，側(cè)面電極連接件在第二位置狀態(tài)下環(huán)繞上電極的側(cè)部或者下電極的側(cè)部；上電極和下電極與所述側(cè)面電極連接件之間電壓差用于等離子體放電。所述新型邊緣刻蝕反應(yīng)裝置能提高邊緣刻蝕區(qū)域的刻蝕精度和效率。??