新單晶硅太陽(yáng)能電池制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201110265114.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN102315327B | 公開(kāi)(公告)日 | 2013-10-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102315327B | 申請(qǐng)公布日 | 2013-10-16 |
分類(lèi)號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張衡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 浙江向日葵大健康科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 紹興市越興專(zhuān)利事務(wù)所 | 代理人 | 張謙 |
地址 | 312000 浙江省紹興市越城區(qū)斗門(mén)街道三江東路22號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種新單晶硅太陽(yáng)能電池制作方法,屬于單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,以單晶硅片為原料,包括如下步驟:⑴去除單晶硅片表面的損傷層;⑵擴(kuò)散制pn結(jié);⑶去邊緣結(jié),去磷硅玻璃;⑷采用化學(xué)氣相沉積方法制備金剛石薄膜;⑸絲網(wǎng)印刷,燒結(jié)制作電極。本發(fā)明用化學(xué)氣相沉積方法制備金剛石薄膜作為單晶硅太陽(yáng)能電池的減反射織構(gòu),所得角錐體的粒徑,在0.5~5μm范圍。 |
