單晶硅棒的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111435031.6 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114086243A | 公開(公告)日 | 2022-02-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114086243A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
分類號(hào) | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 宋克冉;楊西虎;顏玉峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 曲靖晶龍電子材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海華誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉煜 |
地址 | 655000云南省曲靖市曲靖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)光伏一號(hào)路以東、南海大道以南 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種單晶硅棒的制備方法,包括:向坩堝中裝料;所述裝料的方法包括:按照硅原料的形狀將所述硅原料分成不規(guī)則塊狀硅和球形硅;將不規(guī)則塊狀硅按照尺寸大小分成第一尺寸的塊狀硅、第二尺寸的塊狀硅和第三尺寸的塊狀硅,尺寸大小用于表示位于塊狀硅上的相距最遠(yuǎn)的兩個(gè)點(diǎn)間的距離;將第一尺寸的塊狀硅鋪設(shè)于所述坩堝底部;在鋪設(shè)的第一尺寸的塊狀硅之上分別鋪設(shè)第二尺寸的塊狀硅和球形硅,其中,第二尺寸的塊狀硅沿所述坩堝內(nèi)側(cè)壁進(jìn)行鋪設(shè),以使球形硅包裹在所述第二尺寸的塊狀硅和第一尺寸的塊狀硅之間;在第二尺寸的塊狀硅和球形硅上鋪設(shè)第三尺寸的塊狀硅,以使所述球形硅被封蓋。該方法可以更好的保護(hù)坩堝,防止氫跳,降低成本。 |
