一種半導(dǎo)體器件的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110517611.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113270331A 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113270331A 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L21/56;H01L23/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卞龍飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖南越摩先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 湖南省株洲市株洲云龍示范區(qū)云龍大道1288號(hào)創(chuàng)客大廈四樓A151室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體器件的封裝方法包括：提供基板；在基板的表面形成至少一個(gè)半導(dǎo)體器件，其中，不同半導(dǎo)體器件在基板的投影間隔預(yù)設(shè)距離，且無交疊；在半導(dǎo)體器件背離基板一側(cè)的表面形成耐高溫薄膜，其中，耐高溫薄膜背離半導(dǎo)體器件一側(cè)的表面平齊；在耐高溫薄膜背離半導(dǎo)體器件一側(cè)的表面形成塑封體，其中，塑封體覆蓋基板；對(duì)塑封體進(jìn)行研磨處理，直至露出耐高溫薄膜，研磨處理后塑封體的厚度為第一預(yù)設(shè)厚度；去除耐高溫薄膜。本發(fā)明達(dá)到了封裝完成時(shí)不需清洗模具，減少耐高溫薄膜用量的效果。