適用納米級(jí)FinFET工藝的低鉗位電壓靜電保護(hù)器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210633216.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114709210A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114709210A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/02（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高東興 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市晶揚(yáng)電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市海順達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道西麗社區(qū)打石一路深圳國(guó)際創(chuàng)新谷八棟（萬(wàn)科云城三期C區(qū)八棟）A座1602房研發(fā)用房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種適用納米級(jí)FinFET工藝的低鉗位電壓靜電保護(hù)器件，屬于鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明適用納米級(jí)FinFET工藝的低鉗位電壓靜電保護(hù)器件包括第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底、設(shè)置在第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底上的第二導(dǎo)電類(lèi)型深阱區(qū)，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型深阱區(qū)設(shè)有2根以上平行的SCR指條，所述SCR指條包括間隔設(shè)置的第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)，不同的SCR指條間相鄰阱區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型均不同。本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明能夠顯著地降低導(dǎo)通電阻，提升電壓鉗制能力。 |
