高浪涌能力的雙向TVS器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021992765.5 申請日 -
公開（公告）號 CN212725315U 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN212725315U 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉宗賀;吳沛東;王濤;廖澤華 申請（專利權(quán)）人 深圳長晶微電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市宏德雨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場路中安大廈1803-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種高浪涌能力的雙向TVS器件結(jié)構(gòu)，其包括P型襯底、N型區(qū)、N+柱、鈍化層和金屬電極，N型區(qū)設(shè)置在P型襯底兩端，一端露出P型襯底，另一端沉入P型襯底中，N+柱設(shè)置在N型區(qū)上，一端露出N型區(qū)，另一端沉入N型區(qū)，鈍化層呈環(huán)狀，設(shè)置在P型襯底兩端，接觸P型襯底和N型區(qū)，金屬電極設(shè)置在鈍化層遠離P型襯底一側(cè)，用于外接電路。本實用新型的高浪涌能力的雙向TVS器件結(jié)構(gòu)，通過再制造過程中長時間的深結(jié)擴散，降低兩個PN結(jié)之間的寄生電阻區(qū)，同時在N型區(qū)擴散高濃度的N+柱，減少N型區(qū)擴散歐姆電阻，提高了雙向TVS的大電流浪涌通流能力。??