具有浪涌防護功能的肖特基結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022145705.6 申請日 -
公開（公告）號 CN212848416U 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN212848416U 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉宗賀 申請（專利權(quán)）人 深圳長晶微電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市宏德雨知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場路中安大廈1803-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種具有浪涌防護功能的肖特基結(jié)構(gòu)，其包括N型襯底、肖特基勢壘層、P++擴散層、表面結(jié)構(gòu)、陰極電極和P+分壓環(huán)，肖特基勢壘層設(shè)置在N型襯底一端中部，P++擴散層呈環(huán)狀，設(shè)置在肖特基勢壘層外側(cè)，表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在肖特基勢壘層一端，用于芯片封裝焊接，陰極電極設(shè)置在N型襯底一端，用于封裝電極焊接導電，P+分壓環(huán)設(shè)置在N型襯底一端，呈環(huán)狀，且位于P++擴散層外側(cè)。本實用新型的具有浪涌防護功能的肖特基結(jié)構(gòu)，相當于在肖特基勢壘結(jié)四周有一圈單向TVS對肖特基勢壘結(jié)進行保護，P+分壓環(huán)可以降低肖特基的表面電場集中，提高了肖特基結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，提高了對電路的保護能力，增加了產(chǎn)品的使用壽命。??