非對稱電壓的單路雙向TVS浪涌保護(hù)芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202021995762.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212725316U | 公開(公告)日 | 2021-03-16 |
申請公布號 | CN212725316U | 申請公布日 | 2021-03-16 |
分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉宗賀;吳沛東;馬海軍;李長林;吳宏達(dá) | 申請(專利權(quán))人 | 深圳長晶微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市宏德雨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李捷 |
地址 | 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場路中安大廈1803-11 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型提供一種非對稱電壓的單路雙向TVS浪涌保護(hù)芯片,其包括N型襯底、第一P型雜質(zhì)、第二P型雜質(zhì)、N型摻雜、第一表面結(jié)構(gòu)和第二表面結(jié)構(gòu),第一P型雜質(zhì)和第二P型雜質(zhì)分別設(shè)置在N型襯底兩端中部,外側(cè)被N型襯底包裹,一端露出N型襯底,另一端沉入N型襯底中,N型摻雜設(shè)置在第一P型雜質(zhì)上,外側(cè)被第一P型雜質(zhì)包裹,一端露出第一P型雜質(zhì),另一端沉入第一P型雜質(zhì),第一表面結(jié)構(gòu)和第二表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在N型襯底兩端,用于導(dǎo)電。本實(shí)用新型的非對稱電壓的單路雙向TVS浪涌保護(hù)芯片,可以實(shí)現(xiàn)雙向非對稱電壓的保護(hù),整體結(jié)構(gòu)簡單,應(yīng)對正反向需要不同保護(hù)電壓值的電路時的保護(hù)能力較好,節(jié)約成本,節(jié)約線路板空間。?? |
