低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202022049564.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN212725317U | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212725317U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉宗賀 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳長(zhǎng)晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市宏德雨知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李捷 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場(chǎng)路中安大廈1803-11 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu)，其包括P型襯底、N型擴(kuò)散區(qū)、N+擴(kuò)散區(qū)、P+擴(kuò)散區(qū)、表面結(jié)構(gòu)和第一金屬電極，N型擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在P型襯底一端，多個(gè)N+擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在P型襯底遠(yuǎn)離N型擴(kuò)散區(qū)一端，多個(gè)P+擴(kuò)散區(qū)設(shè)置在N型擴(kuò)散區(qū)上，表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在N型擴(kuò)散區(qū)遠(yuǎn)離P型襯底一端，用于芯片封裝焊接；第一金屬電極設(shè)置在N+擴(kuò)散區(qū)遠(yuǎn)離P型襯底一端，用于封裝電極焊接導(dǎo)電。本實(shí)用新型的低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，占用線路板空間小，可有效保護(hù)后端損壞電壓不高的線路。?? |
