低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202022049564.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN212725317U | 公開(公告)日 | 2021-03-16 |
申請公布號 | CN212725317U | 申請公布日 | 2021-03-16 |
分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉宗賀 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳長晶微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳市宏德雨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 李捷 |
地址 | 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場路中安大廈1803-11 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型提供一種低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu),其包括P型襯底、N型擴散區(qū)、N+擴散區(qū)、P+擴散區(qū)、表面結(jié)構(gòu)和第一金屬電極,N型擴散區(qū)設(shè)置在P型襯底一端,多個N+擴散區(qū)設(shè)置在P型襯底遠(yuǎn)離N型擴散區(qū)一端,多個P+擴散區(qū)設(shè)置在N型擴散區(qū)上,表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在N型擴散區(qū)遠(yuǎn)離P型襯底一端,用于芯片封裝焊接;第一金屬電極設(shè)置在N+擴散區(qū)遠(yuǎn)離P型襯底一端,用于封裝電極焊接導(dǎo)電。本實用新型的低嵌位電壓的單向TVS芯片結(jié)構(gòu),整體結(jié)構(gòu)簡單,體積小,占用線路板空間小,可有效保護后端損壞電壓不高的線路。?? |
