可控硅結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022145791.0 申請日 -
公開（公告）號 CN212725318U 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN212725318U 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉宗賀;吳沛東 申請（專利權(quán)）人 深圳長晶微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市宏德雨知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)布吉街道文景社區(qū)廣場路中安大廈1803-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種可控硅結(jié)構(gòu)，其包括N型襯底、背面P型摻雜、P型穿通環(huán)、正面P型摻雜、隔離槽、N型摻雜區(qū)、表面結(jié)構(gòu)和第三金屬電極，背面P型摻雜設(shè)置在N型襯底一端，P型穿通環(huán)位于N型襯底四周，一端接觸背面P型摻雜，正面P型摻雜設(shè)置在N型襯底遠(yuǎn)離背面P型摻雜一端，隔離槽呈環(huán)狀，一端露出正面P型摻雜區(qū)，另一端穿過正面P型摻雜區(qū)，沉入N型襯底中，N型摻雜區(qū)設(shè)置在正面P型摻雜上，表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在正面P型摻雜遠(yuǎn)離N型襯底的一端，用于芯片鈍化以及封裝焊接，第三金屬電極覆蓋在背面P型摻雜上，用于封裝可控硅陽極電極焊接導(dǎo)電。本實(shí)用新型的可控硅結(jié)構(gòu)，提高了電壓和電流的調(diào)節(jié)能力。??