一種新型SE正激光工藝
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010922106.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112164734A | 公開（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請公布號 | CN112164734A | 申請公布日 | 2021-01-01 |
| 分類號 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郭強(qiáng);蔣萬昌;王海超;趙晨 | 申請（專利權(quán)）人 | 山西潞陽光伏科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 | 代理人 | 山西潞陽光伏科技有限公司 |
| 地址 | 046000山西省長治市郊區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域。一種新型SE正激光工藝，在SE激光過程中噴入氧氣，使硅片表面的氧氣濃度為22%?30%，在SE激光完成后繼續(xù)噴入氧氣1?3分鐘，硅片表面的氧氣濃度為28%?35%。激光照射過程中在通過噴氧在硅表面形成氧化硅保護(hù)層，從而減輕激光對表面的損傷程度，降低硅片表面的復(fù)合率。?? |
