P型單晶硅HIT光伏電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811039122.6 申請日 -
公開（公告）號 CN109192798B 公開（公告）日 2020-04-17
申請公布號 CN109192798B 申請公布日 2020-04-17
分類號 H01L31/0236;H01L31/0288;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請（專利權(quán)）人 山西潞陽光伏科技有限公司
代理機構(gòu) 成都魚爪智云知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州錢正科技咨詢有限公司;山西潞陽光伏科技有限公司
地址 046000 山西省長治市長治高新區(qū)漳澤新型工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種P型單晶硅HIT光伏電池的制造方法，該方法包括以下步驟：對所述P型單晶硅片進(jìn)行雙面制絨處理，在所述P型單晶硅片的上表面和下表面均形成絨面層；在所述P型單晶硅片的上表面依次沉積第一本征非晶硅層、第一N型非晶硅層、第二N型非晶硅層、第三N型非晶硅層以及第四N型非晶硅層；在所述P型單晶硅片的下表面依次沉積第二本征非晶硅層、第一P型非晶硅層、第二P型非晶硅層、第三P型非晶硅層以及第四P型非晶硅層；在所述第四N型非晶硅層上沉積第一透明導(dǎo)電層，接著在所述第四P型非晶硅層上沉積第二透明導(dǎo)電層；在所述第一透明導(dǎo)電層上沉積正面電極，并在所述第二透明導(dǎo)電層上沉積背面電極。